SiC Substrate Wafer Manufacturer碳化硅衬底片晶片厂家, 4H-N/4H-SI SiC Substrate Wafer Manufacturer 4H-N/4H-SI碳化硅衬底片生产厂家

氮化镓自支撑衬底片 4英寸GaN氮化镓晶片

尺寸：4英寸
厚度：400um
掺杂：非掺杂，硅掺杂
电阻率：≤0.5Ω.cm
Square Free-Standing GaN Substrate

Dimension:10*15mm²
Thickness: 350±25um
Useable Surface Area:＞90%
Conduction Type: N Type,SI Type
10*10.5mm2方形氮化镓衬底晶片

尺寸：10*10.5mm²
厚度：350um
掺杂：非掺杂，硅掺杂，铁掺杂
电阻率：＜0.05Ω.cm
Silicon Carbide Epitaxial Wafer

Size: 3'' 4'' 6''
Type: N-Type/ P-Type
Dopant: Nitrogen/Aluminum
Thickness:0.2~50μm

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