Gallium Nitride Wafer GaN Substrate Supplier

2 Inch GaN-On-Sapphire Template

Dimensions: Ф 50.8 mm ± 1 mm
Thickness:4.5µm, 20 µm
Orientation:C-plane(0001) ± 0.5°
Useable Surface Area:> 90%
氮化镓晶片蓝宝石氮化镓衬底晶片

尺寸：2英寸
厚度：4.5um 20um
掺杂：非掺杂，硅掺杂，镁掺杂
衬底结构：GaN-On-Sapphire
4 Inch GaN-On-Sapphire Template

Dimensions: Ф 100 mm ± 0.1 mm
Thickness:4.5 µm, 20 µm
Orientation:C-plane(0001) ± 0.5°
Useable Surface Area:> 90%
氮化镓衬底晶片 4英寸GaN氮化镓衬底片

尺寸：4英寸
厚度：4.5um 20um
掺杂：非掺杂，硅掺杂
衬底结构：GaN-On-Sapphire
2 Inch Free-Standing GaN Substrate

Dimensions: Ф 50.8 mm ± 1 mm
Thickness: 350 ± 25 µm
Useable Surface Area: > 90%
Total Thickness Variation: ≤ 15 µm
氮化镓自支撑晶片 2英寸GaN衬底晶片

尺寸：2英寸
厚度：350um
掺杂：非掺杂，硅掺杂，铁掺杂
等级：测试级，研究级，产品级，优选级
4 Inch Free-Standing GaN Substrate

Dimensions: Ф 100 mm ± 1 mm
Thickness: 400 ± 50 µm
Useable Surface Area: > 90%
Total Thickness Variation: ≤ 40 µm
氮化镓自支撑衬底片 4英寸GaN氮化镓晶片

尺寸：4英寸
厚度：400um
掺杂：非掺杂，硅掺杂
电阻率：≤0.5Ω.cm
Square Free-Standing GaN Substrate

Dimension:10*15mm²
Thickness: 350±25um
Useable Surface Area:＞90%
Conduction Type: N Type,SI Type
10*10.5mm2方形氮化镓衬底晶片

尺寸：10*10.5mm²
厚度：350um
掺杂：非掺杂，硅掺杂，铁掺杂
电阻率：＜0.05Ω.cm

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