碳化硅As-cut切割晶片

恒迈瑞公司为国内外客户供应高品质碳化硅As-cut切割晶片，碳化硅晶片可分为导电N型和半绝缘SI型。导电型碳化硅切割片厚度440um左右，半绝缘型未研磨抛光碳化硅切割片厚度600um左右，广泛应用于碳化硅材料后道研磨和抛光设备加工测试用。4英寸及6英寸我司均可稳定发货8英寸也可小批量供应，欢迎有需求的客户来电询价。

碳化硅切割晶片参考参数（以最新产线加工为准）

• 耐高温。碳化硅的禁带宽度是硅的2-3倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的4-5倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐高温特性可以显著提升功率密度，同时降低对散热系统的要求，使终端更加轻量和小型化。
• 耐高压。碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，能够耐受更高的电压，更适用于高电压器件。
• 耐高频。碳化硅具有2倍于硅的饱和电子漂移速率，导致其器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高器件的开关频率，实现器件小型化。
• 低能量损耗。碳化硅相较于硅材料具有极低的导通电阻，导通损耗低；同时，碳化硅的高禁带宽度大幅减少泄漏电流，功率损耗降低；此外，碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低。

碳化硅As-cut切割晶片产品实拍