碳化硅切割片

作为专业的碳化硅晶锭生产厂商，苏州恒迈瑞材料科技也可提供碳化硅切割片已经碳化硅衬底片。碳化硅切割片等级涵盖产品级，研究级以及测试级。从晶锭切割而来的碳化硅切割片，客户购买后可用于测试各类加工设备/零备件。

碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。
半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
 

碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。

相比于Si衬底，第三代半导体碳化硅衬底具有更好的电气特性，耐高压、耐高温，可实现高频和低能量损耗，大幅减小器件尺寸。①耐高压：击穿电场强度大，是Si的10倍，可极大提高耐压容量、工作频率和电流密度，大大降低器件的导通损耗；②耐高温：SiC相较Si拥有更高的热导率，使得器件散热更容易，极限工作温度更高，带来功率密度的显著提升，降低对散热系统的要求，使终端更轻量小型化；③高频和低能耗：相比于Si基器件，碳化硅器件具有低导通损耗、低功率损耗、低开关损耗的优势。