E-mode增强型硅基氮化镓外延片

苏州恒迈瑞公司是作为氮化镓GaN外延片专业生产厂家，可根据客户要求进行HEMT氮化镓外延片定制结构及参数，目前提供4至8英寸硅基氮化镓外延片E-Mode增强型氮化镓外延片。我司生长的GaN-on-Si硅基氮化镓外延片可应用于功率电子器件HEMT及射频HEMT，电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。

E-mode硅基氮化镓外延片结构参数
 

氮化镓外延片分类

氮化镓作为第三代半导体材料，具有耐高温、高兼容性、高导热性和宽带隙等优点，在国内比较成熟。根据衬底材料的不同，氮化镓外延晶片可分为四类：氮化镓基氮化镓、硅基氮化镓，蓝宝石基氮化镓和硅基氮化氮化镓。硅上氮化镓外延片生产成本低，生产技术成熟，是目前应用最广泛的产品。氮化镓外延片的市场需求主要取决于其应用领域，如电子、光学、电力、航空航天等。

不同工艺GaN器件性能对比