D-mode耗尽型硅基氮化镓外延片

苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产的AlGaN/GaN硅基氮化镓外延片尺寸涵盖4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件及射频HEMT用外延片产品，有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。第三代半导体硅基氮化镓外延材料产品可应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。

GaN-On-Si硅基氮化镓外延片结构
 

从理论上来讲，GaN同质衬底是生长GaN外延层最好的衬底，这样就不存在品格失配热失配问题，生长出来的外延膜质量将大大提高，位错密度也可降到很低，发光效率提高，提高器件工作电流密度。但由于GaN在常压下无法熔化,高温下分解为Ga和N₂,在其熔点(2300℃)时的分解压高达6GPa，当前的生长装备很难在GaN熔点时承受如此高的压力,因此传统熔体法无法用于GaN单晶的生长。

相对于常规半导体材料,GaN单晶的生长进展缓慢,晶体尺寸小且成本高,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,使得GaN单晶衬底及同质外延器件的发展落后于基于异质外延器件的应用。

生长氮化镓的衬底材料性能比较