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Home > Products > SiC Boule/Ingots > 产品P级碳化硅晶锭晶棒

产品P级碳化硅晶锭晶棒

直径:150±0.2mm
厚度: Min ≥15mm
等级:产品级P级
类型:4H-N导电型;4H-SI半绝缘型

Product Description

作为专业的碳化硅晶棒生产厂商碳化硅晶锭厂家,苏州恒迈瑞公司生产供应产品级碳化硅晶锭,产品尺寸有4英寸和6英寸可供选择。恒迈瑞为国内外客户定制提供高品质导电型(N型)碳化硅晶锭和4H-SI半绝缘型SiC碳化硅晶棒以用于产品级碳化硅衬底晶片原料的生产定制。即使是定制的碳化硅晶锭或碳化硅衬底,客户仍将从恒迈瑞获取较其他厂商更优惠的报价及最短交期。

产品级碳化硅晶锭规格-联系销售人员获取报价


碳化硅材料作为第三代半导体材料,凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现,成为当今非常受关注的新型半导体材料之一。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端环境和恶劣环境下,特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。
半绝缘型碳化硅晶棒厂商 

在第三代半导体产业链中,主要包括晶锭生长、衬底、外延生长和器件研发制造环节,而无论是碳化硅还是氮化镓器件,两者都需要碳化硅衬底,然后再进行外延生长(在衬底上淀积不同的单晶)和器件制造。

以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件以其良好导热性和大功率输出的优势,成为5G基站功率放大器的主流选择。5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点,要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件,以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,能够提供高频电信网络所需要的功率和效能,成为5G基站功率放大器的主流选择。

碳化硅晶锭出货包装
6英寸碳化硅晶棒厂家 

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