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Home > Products > SiC Boule/Ingots > 测试D级碳化硅晶锭晶棒

测试D级碳化硅晶锭晶棒

直径:100±0.25mm
厚度: Min ≥15mm
等级:测试D级
类型:4H-N导电型;4H-SI半绝缘型

Product Description

苏州恒迈瑞材料科技作为专业的碳化硅晶锭厂家碳化硅晶棒生产厂家,生产供应4英寸及6英寸测试级碳化硅晶棒,可为客户定制提供高品质导电型(N型)碳化硅晶棒和4H-SI半绝缘型SiC碳化硅晶锭以用于碳化硅衬底片的多线切割测试。苏州恒迈瑞为碳化硅晶棒客户提供具有竞争力的价格,我们始终追求高效的批量生产和科学的管理,尽可能低的价格保证最高的碳化硅晶棒产品质量。

测试级碳化硅晶棒规格-联系销售人员获取报价


在第三代半导体产业链中,主要包括晶锭生长、衬底、外延生长和器件研发制造环节,而无论是碳化硅还是氮化镓器件,两者都需要碳化硅衬底,然后再进行外延生长(在衬底上淀积不同的单晶)和器件制造。

 

碳化硅导电型衬底
:主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率器件,包括肖特基二极管、MOSFET、IGBT等,应用在新能源汽车、轨道交通和大功率输电变电等领域。半绝缘型衬底:主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。


碳化硅晶锭包装
 

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